重结晶碳化硅砖是以高纯碳化硅(SiC≥99%)为原料,采用湿法超细磨粉料调浆、浇注工艺,经超高温烧成,因而此种砖具有比氮化硅结合的碳化硅砖更高的高温断裂
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻,Si基器件的设计和开发
2011年4月16日 碳化硅陶瓷工艺流程之SiC粉末的合成 2009.10.27 SiC陶瓷的生产工艺包括SiC粉末的合成和碳化硅陶瓷的烧结两部分。 SiC在地球
碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍全景展示碳化硅知识和进展为碳化硅基功率器件进入实用化阶段提供借鉴作者是碳化硅研发和功率半导体领域的领军
本文的目的是研究碳化硅陶瓷的激光选区烧结/冷等静压复合工艺及其后处理方法,主要研究内容和结果如下:阐述了碳化硅陶瓷SLS成形机理,由于碳化硅的熔点
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括：有机硅烷小 性气氛中机械纺丝制造Ps原丝的工艺过程；Ps原丝经过在惰性化学气氛中控温
2011年4月16日 碳化硅陶瓷工艺流程之SiC粉末的合成 2009.10.27 SiC陶瓷的生产工艺包括SiC粉末的合成和碳化硅陶瓷的烧结两部分。 SiC在地球
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料,在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或
2018年9月29日 近几年SiC相关供应链厂商持续增产SiC晶圆,并开始陆续释出6英寸SiC的消息。6英寸SiC工艺在功率半导体方面的优势包括高工作电压、显著降低
上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻,Si基器件的设计和开发
碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如：以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的
2018年7月12日 因科研任务和课题组发展需要,碳化硅晶体项目部高温氧化物晶体组面向所内外公开招聘工作人员2—3名。 （1）负责晶体生长工艺方案的实施；.
随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变
完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化
2017年10月19日 碳化硅不象其它矿物质那样有其自身矿藏,它也不会在自然界中自然出现,而需要用精炼炉的冶炼技术控制工艺来实现。早期碳化硅仅是用於研磨和
碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或
过去几年来,基于碳化硅(SiC)的功率半导体解决方案的使用大幅增长, 碳化硅器件能够很好地应对上述所有市场挑战。 硅产品具备相同的可靠性和工艺稳定性。
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、
2017年11月1日 以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料 第三代半导体材料产业非常长,贯穿了材料、芯片设计、制造工艺、封装
2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
