所有系统元件的设计,即使在处理诸如水泥、粉煤、碳化硅及其它矿产品等粗糙磨料时, 殼體和葉輪的碳化矽製成的礦物鑄件,使用專利方法用相同的材料塗覆在
2013年8月4日 第六节碳化硅耐火材料化学分析方法—吸收重量法测定碳化硅 记,使美国的终购买者能从产品本身（或其包装外壳）认出该产品用英文写的原
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所有系统元件的设计,即使在处理诸如水泥、粉煤、碳化硅及其它矿产品等粗糙磨料时, 殼體和葉輪的碳化矽製成的礦物鑄件,使用專利方法用相同的材料塗覆在
Cree碳化硅（SiC）六只装功率模块是采用ZFET™ MOSFET& ZRec™二极管技术的碳化硅三相模块,具有超低损耗和较高的工作效率。
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ST's silicon carbide device portfolio includes 600/1200V SiC diodes, featuring the industry's lowest forward voltage drop (VF), including automotivegrade diodes
2013年8月4日 第六节碳化硅耐火材料化学分析方法—吸收重量法测定碳化硅 记,使美国的终购买者能从产品本身（或其包装外壳）认出该产品用英文写的原
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ST's silicon carbide device portfolio includes 600/1200V SiC diodes, featuring the industry's lowest forward voltage drop (VF), including automotivegrade diodes
碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比,它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是,碳化硅具备更高的击穿电场强度
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碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比,它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是,碳化硅具备更高的击穿电场强度
Cree碳化硅（SiC）六只装功率模块是采用ZFET™ MOSFET& ZRec™二极管技术的碳化硅三相模块,具有超低损耗和较高的工作效率。
