完整的4/6寸生产流程线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制；. ▷ 全生产流程可控,
碳化矽（英语：silicon carbide）,化學式SiC,俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化矽在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。
2018年5月30日 公司团队拥有博士11人,获得授权发明近40件（包括5项国际）,形成了碳化硅晶片制备全工艺流程知识产权体系,彻底打破了国外的技术和
它的高产出、杰出的边缘质量和支持300mm 晶片的平台,造了真正高产量生产流程,特别是基于碳化硅的设备更是如此。 另外,与其他晶片激光分离方法相
2011年4月16日 碳化硅陶瓷工艺流程之SiC粉末的合成 2009.10.27 SiC陶瓷的生产工艺包括SiC粉末的合成和碳化硅陶瓷的烧结两部分。 SiC在地球
图3为重结晶碳化硅砖工艺流程图重结晶碳化硅砖制造工艺要点：(1)级配必须能达到堆集密度,泥料成型压力必须保证获得大的体积密度。(2)烧成必须采用与空气
2018年9月25日 随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历 在生产流程中,专门的SiC衬底被开发出来,然后在晶圆厂中进行加工,
常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉
1999年2月2日 射镜制造中的几个关键技术, 包括RB 碳化硅反射镜毛坯制造, SiC 涂层技术和SiC 反. 射镜的加工技术。 . RB SiC 的基本流程如下: ( 1) 加工网格状
2011年4月16日 碳化硅陶瓷工艺流程之SiC粉末的合成 2009.10.27 SiC陶瓷的生产工艺包括SiC粉末的合成和碳化硅陶瓷的烧结两部分。 SiC在地球
2015年9月18日 我司自2014年9月开始与华智科技（国际）有限公司合作开发碳化硅二极管,经前期技术讨论,产品设计,流程测试,历时近一年,2015年9月中旬完成
摘要反应烧结碳化硅(RBSiC)是一种性能良好的反射镜镜胚材料,但其固有的一些缺陷导致未经特殊处理无法获. 得光滑的光学 . 应烧结碳化硅改性技术的流程图。
2018年6月6日 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备 征国内航线燃油附加费回来了网约车事中事后联管流程明确7000万"网
英飞凌将把这项技术用于碳化硅（SiC）晶圆的切割上,从而让单片晶圆可出产的芯片数量 在生产流程中,专门的SiC衬底被开发出来,然后在晶圆厂中进行加工,得到
【摘要】：碳化硅(SiC) MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,其性能在高温、高频、 的工业化设计与制作流程并设计制作了3600V/80A SiC MOSFET串并联模块。
2018年1月30日 黑碳化硅微粉经过多个工艺流程炼制成不同粒度,满足不同工业需求,严格的原材料选配以及严格的生产工艺是质量的关键。一、原料.
CoolSiC™肖特基二极管650 V G6是英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的技术,充分利 CoolSiC™ G6二极管是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让. 碳化硅肖
常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉
2018年8月22日 这是国家重大科研装备研制项目"4米量级高精度碳化硅非球面反射镜集成制造 围绕反射镜研制流程,项目完成了三个子系统、十余套加工检测设备
2018年5月10日 单晶碳化硅是一种新颖的半导体材料,具有高禁带宽度、高击穿场强和高热 右图：片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆成功打通工艺流程,今后将
常见的方法是将石英砂与焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食盐和木屑,置入电炉中,加热到2000°C左右高温,经过各种化学工艺流程后得到碳化硅微粉
高性能碳化硅(SiC)晶体管. 过去几年来,基于碳化硅(SiC)的功率半导体解决方案的使用大幅增长,. 这是半导体行业的一场革命。推动这一市场发展的动力包括以下趋势,.
2017年9月26日 碳化矽(SiC),這種寬能隙的半導體元件可用於打造更優質的電晶體,取代當今的矽功率電晶體,並與二極體共同搭配,提供溫度、頻率的
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 和MOSFET芯片工艺流程整合,成功试制1200V SiC肖特基二极管功率芯片
碳化矽（英语：silicon carbide）,化學式SiC,俗称金刚砂,宝石名称钻髓,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化矽在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。
