2018年8月22日 （记者唐婷）"我们完成了直径4.03米口径高精度碳化硅（SiC）非球面反射镜制造,对其核心制造设备以及制造工艺拥有自主知识产权。验收专家组认为
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（简称中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率 随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在
设备相关产品制造过程中不可或缺的设备 在半导体制造工艺以及其他领域中被广泛使用并且是具有高强度,高纯度,高耐热性等 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC).
纳米碳化硅材料不单是指纳米微粉,还有碳化硅纳米线（可以简单理解为纳米级的碳化 此方法制作工艺精确,纳米粉体呈球形,无严重团聚,但要求仪器、设备精密度
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
2018年5月30日 近年利用碳化硅材料制作的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率器件,已可采用少子注入等 . 当然还有配套的设备、材料等环节,本期不做介绍。 . 及装备、4英寸无掺杂高纯半绝缘碳化硅晶体高温化学气相沉积法长晶工艺及装备,并
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
2017年10月24日 尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为
虽然这对全球的SiC 功率器件设备制造商来. 说都是好 轻松地解决硅及许多其他衬底材料的切割问题,. 但是SiC 却 这种工艺流程大约在10 年前首先由Zühlke.
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料中 光刻胶是整个光刻工艺的重要部分,也是国际上技术门槛的微电子
2017年9月28日 研究人员们将在日前于美国华府举行的2017年碳化硅及相关材料国际 PRESiCE工艺可用于降低SiC功率组件的生产成本（来源：North Carolina
天科合达公司参展第十二届欧洲碳化硅及相关材料会议（ECSCRM2018） 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会会员单位 中关村国家自主创新示范区 自行研发了碳化硅晶片加工的关键工艺技术：针对超硬的碳化硅,选取适当种类、
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括：有机硅烷小 工艺过程的技术关键,才能有效选择合适的工艺及生产装备,生产出高强度高模量连续碳化硅长丝 给辐照设备和工艺带来非常苛刻的要求,而且使材料的.
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
根据碳化硅晶体生长工艺要求,提供了一种降低成本、增加可靠性的运动控制方. 案。该晶体生长炉运动 根据SiC 的结晶工艺及其目前机械设备的特点,提出了更集.
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。 和人才培养,进一步提高产品技术及工艺水平,促进成本降低,推动产业化进程加速上行。
2018年7月11日 对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。 硅(Si). ·碳化硅（SiC）[/url]. 1、蓝宝石衬底. 通常,GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。 添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。
2017年8月10日 不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件 幸运的是,生产中使用渗氮工艺可使造成这些接口问题的缺陷大大降低。
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。 真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量生产；他们还突破了高纯SiC粉料
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入
根据客户的设计要求,整合基本半导体标准工艺模块,提供完整的器件定制工艺 线,拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备,提供完整的 标准化的工艺模块,包括的碳化硅深沟槽刻蚀,栅氧工艺及各种金属结工艺；.
