2018年5月23日 全球功率器件龙头厂商英飞凌持续投入碳化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场 第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为的 
全球SiC晶圆市场规模从2012年的5,260万美元,2013年扩大到5,860万美元。该市场预计以年成长率28.01%持续急速成长,2015年扩大到8,790万美元,2020年将 
2018年10月5日 相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的元件性能优势十分的显著,尤其是在高耐压与耐高温的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模, 
2018年2月28日 数据显示,中国碳化硅全球产能占比达75%左右;消费量占比达50%左右; 面临为用途越来越广泛和精细的碳化硅市场,未来向深加工、高附加值的 
2018年5月10日 河南郑州碳化硅客户在金林碳化硅官网上一篇名字为《2018年我国碳化硅行业所面临的问题》的文章中留言咨询:"目前中国碳化硅市场行情怎么样?
信息覆盖碳化硅价格、绿碳化硅价格行情、黑碳化硅微粉价格走势分析、碳化硅现货 市场动态. 更多 AM统计:10月份中国绿碳化硅生产商开工率同比下跌14.58% 
2018年8月28日 本报告研究全球与中国市场CVD碳化硅的发展现状及未来发展趋势,分别从生产和消费的角度分析CVD碳化硅的主要生产地区、主要消费地区以及 
2018年9月25日 电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。 随着电动汽车以及其他系统的增长,碳化硅(SiC)功率半导体市场正在经历需求的突然 
2012年12月26日 今年上半年以钢铁为代表的行业开工率持续走低,碳化硅企业也是困难重重。 一、2012年三季度我国碳化硅出口市场回顾 据海关统计显示:今年19 
2018年7月15日 汽车承载碳化硅(SiC)上路,相关供应链准备好了吗? 汽车应用正推动功率SiC市场快速增长. 根据麦姆斯咨询报道,2017年的发展趋势显示SiC 
碳化硅是目前已知的可达到万伏千安等级(全球能源互联网必需的超特高压柔性直流 . 2016年,我国第三代半导体电力电子器件的市场规模约为1.6亿元,目前市场.
2017年12月4日 据YOLE预测,到2020年全球SIC应用市场规模达到5亿美元,而到2022年全球SiC市场将会进一步翻一番达到10亿美元的规模。其中2016年到2020 
2017年10月11日 本文將從第三代半導體材料性能應用、行業翹楚及市場併購、各國發展 而以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代 
6 days ago 英飞凌将把这项技术用于碳化硅(SiC)晶圆的切割上,从而让单片晶圆可 的碳化硅产品已实现批量出货,年出货金额在今年能突破一亿美元,市场 
2018年2月28日 数据显示,中国碳化硅全球产能占比达75%左右;消费量占比达50%左右; 面临为用途越来越广泛和精细的碳化硅市场,未来向深加工、高附加值的 
2017年3月15日 1、国内市场未打开,碳化硅产能过剩据悉,目前我国碳化硅企业200多家,年生产能力220多万吨,加工制砂、微粉生产企业300多家,年生产能力200 
2018年7月20日 作为安全、节能和高效的功率转换材料,碳化硅(SiC)打开了新一代半导体 整个产业备受市场关注,厚积薄发的瀚天天成获得业内认可,今年产能已 
2018年5月17日 英飞凌IPC事业部主要的产品主要是IGBT(模块、芯片、驱动)和碳化硅(SiC)。无疑在IGBT所覆盖的中高功率器件市场,英飞凌已经取得了非常完满的 
2018年7月17日 核心提示:据外媒报道,据法国市场研究公司Yole Developpement称,预计到2023年,碳化硅功率器件市场市值将达14亿美元,2017年2023年的 
2018年7月19日 近年来讨论热烈的碳化硅(Silicon Carbide, SiC)材料,由于其耐高温、切换速度快、可小型化的好处,未来各种半导体应用都将会往SiC材料发展。
高性能碳化硅(SiC)晶体管. 过去几年来,基于碳化硅(SiC)的功率半导体解决方案的使用大幅增长,. 这是半导体行业的一场革命。推动这一市场发展的动力包括以下趋势,.
2018年10月9日 相较于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的组件性能优势十分的显著,尤其是在高压与高频的性能上,然而,这些优势却始终未能转换成市场规模,主要 
由于不同的管子与管板的密封技术,碳化硅换热器与市场上大多. 数其他换热器的设计有很大不同。西格里的密封系统包括特. 殊研发的垫片保证了市场上的 
意法半导体从1996年开始从事碳化硅技术研发。在半导体市场推出一项新技术,质量高、寿命长,成本有竞争力是基本要求。意法半导体战胜了这种宽带隙材料的量产 
2017年10月11日 本文將從第三代半導體材料性能應用、行業翹楚及市場併購、各國發展 而以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)等寬禁帶為代表的第三代