近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2018年6月5日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破. 硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,碳化硅（SiC）单晶在这100台设备里"奋力"生长。 单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫莫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入机等等。 短波长的紫外线做光刻的曝光光源行啦,那么制造难点究竟在哪呢？
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。".
2018年8月29日 科研人员检查4米量级高精度碳化硅非球面反射镜表面情况。 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主知识产权的"4
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2017年10月24日 先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究" 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第
2018年6月6日 中国电科二所事业部主任李斌说："这100台SiC单晶生长设备和粉料都是 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 光刻胶是整个光刻工艺的重要部分,也是国际上技术门槛的微电子
2016年11月29日 以碳化硅（SiC）为代表的宽禁带半导体电力电子器件制造成套工艺与装备, 德国、美国、俄罗斯、日本多家企业的碳化硅长晶技术及设备制造厂家。
2017年10月24日 先进制造技术领域"大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究" 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第
细颗粒石墨、软毡、硬毡、碳纤维增强碳、碳化硅涂层 凭借优化的设备部件和性能的材料,我们成为许多的原始设备制造商（OEM）和半导体生产商的理想 凭借它们特殊的制造工艺,我们的SIGRATHERM石墨软毡具有非常低的导热性。
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
2018年8月23日 这是公开报道的世界上口径碳化硅单体反射镜,标志我国光学系统制造 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
2018年7月2日 第三代半导体材料有氮化镓（GaN）,金刚石（也叫钻石）,碳化硅（SiC,也叫莫 实现以上工艺的设备有,氧化炉、光刻机、显影机、刻蚀机、镀膜机、注入机等等。 短波长的紫外线做光刻的曝光光源行啦,那么制造难点究竟在哪呢？
2018年8月22日 我们完成了直径4.03米口径高精度碳化硅（SiC）非球面反射镜制造,对其核心制造设备以及制造工艺拥有自主知识产权。"中科院长春光机所副所长
2017年11月1日 以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料 第三代半导体材料产业非常长,贯穿了材料、芯片设计、制造工艺、封装
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
2018年7月11日 添置完成减薄和切割工艺的设备又要增加一笔较大的投资。 但是相对于蓝宝石衬底而言,碳化硅制造成本较高,实现其商业化还需要降低相应的
2018年8月22日 项目验收专家组表示,该项目解决了大口径碳化硅非球面反射镜制造 研发团队完成了这三方面的制造设备研制与制造工艺研究,突破了多项镜坯
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子 台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶在这100台设备里"奋力"生长。 粉料和单晶生长炉条件下,还需要对生产工艺进行设计、调试和优化。".
2017年8月10日 不过,自1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件 幸运的是,生产中使用渗氮工艺可使造成这些接口问题的缺陷大大降低。
