2018年8月2日 核心提示：据外媒报道,美国科锐（Cree）公司Wolfspeed部门推出了一系列坚固的碳化硅（SiC）设备,用于电动汽车（EV）和可再生能源市场,主要针对
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 材料划裂片方案,引进国际上先进的SiC划片裂片设备,建立了国内条SiC晶圆划裂片量产生产线。
2017年6月22日 据麦姆斯咨询报道,预计到2022年,全球碳化硅（silicon carbide,以下简称SiC）市场规模将达到6 174亿美元,年期间的复合年增长率
2018年6月5日 中国科技网·科技日报讯（记者海滨通讯员玉芳）6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）单
为你详细介绍碳化硅设备的产品内容,包括碳化硅设备的用途、型号、范围、图片等,在这里你可以得知所有碳化硅设备的新闻以及的市场碳化硅设备价格。
高温制备SiC冶炼块的热工设备是专用的碳化硅电炉,其结构由炉底、内面镶有电极的端墙、可卸式侧墙、炉心体(全称为：电炉的通电发热体,一般用石墨粉或石油
2018年10月5日 半导体行业观察：相较于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能优势 虽然有长晶设备,但碳化硅晶圆的生产仍是十分困难,不仅是因为产能仍
2017年8月10日 硅与碳的合成物是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件
碳化硅（SiC）产品用途与性质. 对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言,碳化硅（SiC）产品是理想选择。 我们专注于开发可靠的碳化硅半导体二极管。
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（简称中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）
2017年10月24日 尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究"课题通过了技术验收。 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为
超高纯度碳化硅GMFCVD,GMF60FH2是以我公司独有技术精制而成的高纯度碳化硅粉末。主要以碳化硅为原料。可作为生产功率元件、LED、通信设备等所用的碳化
介绍富士电机的SiC设备。可阅览实现大幅节能和产品小型化、轻量化的SiC设备。
2018年6月6日 我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破6月5日,在中国电子科技集团公司研究所（简称中国电科二所）生产大楼内,100台碳化硅（SiC）
2018年6月28日 碳化硅作为大功率电力电子设备的一种关键材料,是电动汽车、数据、太阳能系统等增长市场中新一代产品的关键推动力量。GTAT一直是光伏和
介绍富士电机的SiC设备。可阅览实现大幅节能和产品小型化、轻量化的SiC设备。
亚旭昌株式会社精密陶瓷事业部碳化硅SiC的特性和物性表,请点击。 高纯度SiC（高纯碳化硅）也有生产,适合运用于半导体制造设备。 关于SiC 多孔陶瓷(porous
设备整体性能与国外同类设备相当,但制造成本只有国外同类设备的1/8左右。 Ω·cm,导电4H碳化硅晶片的电阻率控制在0.02 Ω·cm以下,技术指标达到了国际
厂商名称, 日新技研株式会社(日本) 埼玉县入间市狭山之原碑前384. 产品名称, 蓝宝石单晶提拉设备：Czochralski（CZ）法 SiC・AIN单晶生长设备：升华法
SiC材料为上海硅酸盐研究所提供的无压烧结SiC陶瓷,其抛光表面如图1所示,根据能谱分析,陶瓷中浅色部分为SiC陶瓷,深色
设备相关产品制造工程不可或缺的设备. SiC Parts (CVDSiC). 碳化硅部件（CVDSiC）. 以自行研发的CVD法生产,实现了超高纯度,高耐热性,高耐磨性的碳化硅产品.
2018年7月22日 关键结论：⚫ 新兴市场碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将 不仅每辆车的SiC设备数量将会增加,而且对于电池电动汽车（BEV）和插电
2017年8月10日 硅与碳的合成物是碳化硅(SiC),俗称金刚砂。 碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件
2009年7月30日 目前主要从事第三代宽带隙SiC（碳化硅）半导体外延材料生长、特性 利用自有技术,先后研制出高温SiC热壁CVD外延生长设备（包括水平式与垂直
导读： 近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
