2018年9月29日 近几年SiC相关供应链厂商持续增产SiC晶圆,并开始陆续释出6英寸SiC的消息。6英寸SiC工艺在功率半导体方面的优势包括高工作电压、显著降低
碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化
2017年5月24日 碳化硅衬底片是典型的技术密集型和资金密集型产业,高良品率、高稳定性的长晶工艺技术是其核心。"中国兵器工业集团科学家魏化震表示,
2018年1月30日 时代电气半导体事业部6英寸碳化硅（SiC）生产线是国内首条6英寸SiC 芯片结构设计、高温离子注入机等50余台工艺设备和90余项工艺调试,
随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变
过去几年来,基于碳化硅(SiC)的功率半导体解决方案的使用大幅增长, 碳化硅器件能够很好地应对上述所有市场挑战。 硅产品具备相同的可靠性和工艺稳定性。
摘要：以汉麻秆芯碳化后的碳粉为原料,分别采用注浆和干压成型工艺制备素坯, 采用激光共聚焦显微镜、扫描电子显微镜和X 射线衍射仪等分析了碳化硅木质陶瓷
2017年9月28日 为了降低SiC的制造成本,美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺,并搭配TI XFab实现低成本的SiC功率MOSFET
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料,在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和
2016年12月6日 摘要: 为提高SiC陶瓷芳纶纤维增强树脂基复合材料（SiCAFRP）的界面粘接性能,研究了陶瓷腐蚀工艺、偶联剂处理工艺、粘接剂种类对SiCAFRP
【金光炫技】 "世纪金光"碳化硅晶片划片裂片工艺再添新高！ 碳化硅晶片是第三代半导体关键基础材料,在微电子、电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大、高温抗氧化性强、耐磨损性能好、热稳定性佳、热膨胀系数小、热导率大、硬度高、抗热震和耐化学腐蚀等优良特性,在汽车、机械
2018年11月5日 碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成为一种重要的磨料,但其应用范围却超过一般的磨料。例如,它所具有的耐高温性、导热性而成为隧道窑或梭式窑的
碳化硅的结构特性及优缺点. 碳化硅（SiC）俗称金刚砂,为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化
2018年8月23日 这是公开报道的世界上口径碳化硅单体反射镜,标志我国光学系统制造 碳化硅表面改性镀膜的制造设备研制与制造工艺研究,形成了具有自主
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化,对碳化硅器件的材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用
近日,863 计划先进制造技术领域"大尺寸SiC 材料与器件的制造设备与工艺技术 通常,国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料称之为第三代半导.
随着市场竞争愈演愈烈,基础材料的成本不断降低,碳化硅的供应链变得越来越稳健。意法半导体一直在努力改善材料和工艺质量。随着材料和基于SiC技术的产品 变
碳化硅陶瓷材料具有高温强度大,高温抗氧化性强,耐磨损性能好,热稳定性,热彭胀系数小,热导率大,硬度高,抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。在汽车、机械化工、
2014年5月5日 连续碳化硅长丝纤维生产的4个关键技术工艺过程包括：有机硅烷小 性气氛中机械纺丝制造Ps原丝的工艺过程；Ps原丝经过在惰性化学气氛中控温
2017年10月19日 碳化硅不象其它矿物质那样有其自身矿藏,它也不会在自然界中自然出现,而需要用精炼炉的冶炼技术控制工艺来实现。早期碳化硅仅是用於研磨和
2018年7月12日 因科研任务和课题组发展需要,碳化硅晶体项目部高温氧化物晶体组面向所内外公开招聘工作人员2—3名。 （1）负责晶体生长工艺方案的实施；.
2018年7月3日 上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻,Si基
2018年5月10日 单晶碳化硅是一种新颖的半导体材料,具有高禁带宽度、高击穿场强和高热 右图：片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆成功打通工艺流程,今后将
